俄罗斯将研发X射线光刻机 有望实现成本大幅降低

　　光刻机是目前半导体芯片制造过程中的关键核心设备之一，也是提升半导体芯片性能的关键因素。不过纵观整个全球的半导体市场，目前也只有AMSL工艺可以制造和生产，但是光刻机的技术限制也颇多。

　　而目前俄罗斯表示，他们正在计划开发全新的光刻机，他们将使用X射线技术，该技术最大的优势和特点就是不需要光掩模就可以直接生产芯片。

　　光刻机的结构和技术原理十分复杂，不过决定光刻机分辨率有主要几个关键因素，常数K、光源的波长、物镜的孔径，波长越短分辨率也就越高。据悉，目前的EUV光刻机采用的极紫外光，波长长度为13.5nm，主要用于制造7nm及以下的半导体芯片。而目前著名的芯片代工厂商——三星和台积电采用的就是EUV光刻机。

　　而俄罗斯目前制造的光刻机与EUV光刻机的原理不尽相同，它是基于同步加速器或等离子体源的无掩模X射线光刻机。据悉X射线波长基于0.01nm至10nm之间，波长比EUV极紫外线还要短，所以可以生产制程更为先进的芯片。该光刻机不需要光掩模就可以直接光刻，所以成本可以大大降低。

　　其实，X射线光刻机之前欧美及国内科研机构也进行研究过，但是生产效率远不如AMSL光刻机，并且只能用于特定场景。不过俄罗斯在X射线及等离子科研方面有着丰厚的基础，所以有可能在X射线光刻机实现更大的突破。

　　自乌克兰危机爆发以来，欧美在科技、能源、金融领域对俄罗斯进行全方位的封锁，而实现X射线光刻机的研发，可以看出俄罗斯在半导体研发技术实现重要突破，有利于摆脱欧美的制裁。